1.  晶体管用来驱动继电器，必须将晶体管的发射极接地。具体电路如下：

NPN晶体管驱动时：当晶体管T1基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点RL1吸合。

当晶体管T1基极被输入低电平时，晶体管截止，继电器线圈断电，触点RL1断开。

PNP晶体管驱动电路目前没有采用，因此在这里不作介绍。

电路中各元器件的作用：

晶体管T1可视为控制开关，一般选取VCBO≈VCEO≥24V，放大倍数β一般选择在120～240之间。。电阻R1主要起限流作用，降低晶体管T1功耗，阻值为2 KΩ。电阻R2使晶体管T1可靠截止，阻值为5.1KΩ。二极管D1反向续流，抑制浪涌，一般选1N4148即可。

2 集成电路2003驱动继电器

左图1～7是信号输入（IN），10～16是输出信号（OUT），8和9是集成电路电源。

2.1工作原理简介

根据集成电路驱动器2003的输入输出特性，有人把它简称叫“驱动器”“反向器”“放大器”等，现在常用型号为：TD62003AP。当2003输入端为高电平时，对应的输出口输出低电平，继电器线圈通电，继电器触点吸合；当2003输入端为低电平时，继电器线圈断电，继电器触点断开；在2003内部已集成起反向续流作用的二极管，因此可直接用它驱动继电器。

2.2检修　判断2003好坏的方法非常简单，用万用表直流档分别测量其输入和输出端电压，如果输入端1～7是低电平（0V），输出端10～16必然是高电平（12V）；反之，如果输入端1～7是高电平（5V），输出端10～16必然是低电平（0V）；否则，驱动器已坏。

测试条件：1.待机；2.开机。

测试方法：将万用表调至20V直流档，负表笔接电控板地线（7812稳压块散热片），正表笔分别轻触2003各脚。

3光耦驱动电路

3.1光耦驱动继电器电路图

注：

1U1-1脚可接12V，也可接5V，1U1导通，1Q1导通，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V.

1U1-1脚不接或接地，1U1不通，1Q1截止，1Q1-3=11.9V，线圈两端电压为0V。

注：

“DYD_CPU_OUT”连接LPC2367，输出高低电平，高电平，1U4不通，1Q7不通，UCE=12V，1Q7-3=12V，线圈两端电压为0V。

DYD_CPU_OUT”为低电平，1U4导通，U43=1V，U3=11V，UCE=0V，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V。 以上两图是低电平使能。

这两种适用于CPU初始化时，GPIO口为高电平的情况，否则初始化会造成误动作。

注：

“DYD_CPU_OUT”连接LPC2367，输出高低电平，高电平，1U4不通，1Q7不通，UCE=12V，1Q7-3=12V，线圈两端电压为0V。

DYD_CPU_OUT”为低电平，1U4导通，U43=1V，U3=11V，UCE=0V，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V。 以上两图是低电平使能。

这两种适用于CPU初始化时，GPIO口为高电平的情况，否则初始化会造成误动作。

3.3光耦驱动继电器电路图

24V继电器的驱动电路

说明：VCC是5V。

继电器串联RC电路：

这种形式主要应用于继电器的额定工作电压低于电源电压的电路中。当电路闭合时，继电器线圈由于自感现象会产生电动势阻碍线圈中电流的增大，从而延长了吸合时间，串联上RC电路后则可以缩短吸合时间。原理是电路闭合的瞬间，电容C两端电压不能突变可视为短路，这样就将比继电器线圈额定工作电压高的电源电压加到线圈上，从而加快了线圈中电流增大的速度，使继电器迅速吸合。电源稳定之后电容C不起作用，电阻R起限流作用。

基极和发射极的电阻的作用是：在没有正向偏置电压的情况下，保证基极的电压为零，防止三极管的受外部的干扰而误导通，其实就是为了保证可靠性。 具体的阻值的大小倒不绝对，10K、100K都可以的，只是起到下拉的作用，电流非常很小的。 此继电器驱动电路已经验证通过，开和关状态良好，实际应用中最好把5V、24V两组直流电源的地分开，再配合光藕实现真正的隔离效果。

3.4光耦驱动继电器电路图

用光耦驱动继电器电路

3.5光耦驱动继电器电路图

用光电耦合器用隔离驱动电路

微机的接口电路中，实现主机与外设的隔离，一般有两种方式：一种是使用继电器；另一种是使用光电耦合器。

采用电池的功耗产品，对电池的电能消耗是需优先考虑的，附图的电路采用光电耦合器作为隔离，电池的消耗电流可低至50μA以下，但驱动器提供的电流大于1A。

此电路对元件的要求比较高，光电耦合器U1只能采用型号为CNY17F-4的正品元件，实验中试过十多种光电耦合器，仅此型号输入电流50μA时，电路即可工作，其余光电耦合器驱动电流都需几百微安以上。

Q1、Q2的耐压可根据两管工作输入电压的大小而定，若输入电压大于220V，需使用耐压高于400V的三极管与可控硅。

另外，对Q1要求穿透电流要小，对功率没有要求。对Q2要求触发电流小于15mA，否则可能会出现负半周削波的现象。